Обладнання для тонкоплівкового багатопроцесного-процесу PVD

Обладнання для тонкоплівкового багатопроцесного-процесу PVD

Подробиці
Мульти{0}}обладнання для тонкоплівкового напилення PVD — це інтегрована платформа вакуумного осадження, розроблена для поєднання кількох методів виготовлення тонких{1}}плівок, зокрема радіочастотного/постійного магнетронного напилення, термічного випаровування та електронно-променевого випаровування, в рамках єдиної вакуумної архітектури.
Класифікація продуктів
Обладнання для композитної тонкої плівки PVD
 
Послати повідомлення
Опис
Технічні параметри

Мульти{0}}обладнання для тонкоплівкових процесів PVD — це інтегрована платформа вакуумного осадження, розроблена для поєднання кількох методів виготовлення тонких{1}}плівок-зокрема магнетронного напилення RF/DC, термічного випаровування та електронно-променевого випаровування-в рамках єдиної вакуумної архітектури.


Ця система усуває вакуумне забруднення між окремими технологічними шарами, уможливлюючи осадження складних багатошарових металевих, діелектричних і напівпровідникових плівок без зовнішнього впливу. Сконфігурований для лабораторних дослідно-конструкторських кластерів або пілотного-виробництва, він вміщує підкладки діаметром до 300 мм або індивідуальні носії.

 

Технічні характеристики

 

Параметр

Деталі специфікації

Граничний базовий тиск

< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping)

Матеріал камери

Нержавіюча сталь 304L / 316L, електро-полірована (Ra < 0,25 мкм)

Сумісність субстрату

Кремнієві пластини (до 300 мм), скло, кварц, металева фольга, гнучкі підкладки

Джерела осадження

До 4 катодів розпилення (від 2-дюймів до 4 дюймів), 2 кишені для електронного променя, 2 термічні човни

Однорідність плівки

+/- 1% по площі підкладки 200 мм (з-обертанням)

Підігрів субстрату

Температура навколишнього середовища до 800 C із замкнутим -контролем температури PID

Джерела живлення

Постійний струм (до 5 кВт), РЧ (13,56 МГц, до 2 кВт), імпульсний постійний струм для реактивного напилення

Контроль системи

ПЛК + промисловий ПК, програмне забезпечення SCADA, повна автоматизація рецептів і ручне керування

 

Ключові характеристики


Модульна вакуумна архітектура:Незалежні технологічні камери, з’єднані через засувки, запобігають перехресному-забрудненню між реактивним напиленням і високим-вакуумним випаровуванням.


У-вакуумному перенесенні підкладки:Магнітні або лінійні передавальні важелі підтримують високий вакуум (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.


Вихідні фланці-швидкої зміни:Катоди розпилення та тиглі з електронним променем встановлені на стандартних фланцях CF для швидкого обслуговування та заміни мішеней.


Розширене кріогенне захоплення:Інтегровані холодні пастки рідкого азоту та пастки Мейснера мінімізують залишковий тиск водяної пари всередині камери.


Замкнутий-контур моніторингу товщини:Подвійні датчики кварцово-кристалічних мікроваг (QCM) забезпечують -зворотний зв’язок швидкості осадження та товщини в реальному часі, безпосередньо пов’язаних із регулюванням джерела живлення.

 

Конфігурація вакуумної системи


Чорнова стадія:Безмасляні-спіральні насоси в поєднанні з багато-ступеневими кореневими повітродувками для усунення зворотного-потоку вуглеводнів.


Етап високого вакууму:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 л/с для N2) і додаткові кріонасоси для високої пропускної здатності водяної -пари.


Регулювання тиску:Ємнісні манометри Baratron для вимірювання абсолютного тиску незалежно від виду газу в парі з автоматичними дросельними заслінками для точного контролю тиску технологічного газу (від 0,1 Па до 10 Па).


Виявлення витоку:Витік гелію-перевірено на < 1 x 10^-9 Па*м^3/с перед заводським приймальним випробуванням (FAT).

 

Матеріали для випаровування та сумісність з підкладкою


Струмопровідні мішені:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.


Діелектричні матеріали:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (через реактивне напилення або електронний -промінь).


Типи підкладок:
Напівпровідникові пластини (кремній, арсенід галію, фосфід індію).


Оптичні заготовки (плавлений кремнезем, BK7, сапфір).


Гнучкі полотна та тонкі металеві листи (поліімід, фольга з нержавіючої сталі).

 

Програми та перевірені дані про продуктивність


Оптоелектроніка:Осадження шарів прозорого провідного оксиду (TCO) і пакетів оптичних фільтрів із антивідбиванням (AR).


Виготовлення напівпровідникових пристроїв:Формування омічних контактів, бар'єрів Шотткі, затравкових шарів для гальванопластики та дифузійних бар'єрів (Ti/TiN).


Виробництво датчиків:Тонкоплівкові металеві тензодатчики, мікро-нагрівальні елементи та п’єзоелектричні перетворювачі.


Передові дослідження та розробки:Дослідницький багатошаровий -синтез тонких плівок для компонентів квантового обчислення та нових матеріалів для зберігання енергії.

 

Параметри налаштування


Геометрія камери:Розміри камери, що розширюються, для не-стандартних або великих партій субстратів.


Інтеграція джерела:Спеціальні співвідношення розподілу між магнетронними розпилювачами та кишенями для випаровування електронного променя.


Напилення зміщення:Параметри зміщення RF/DC підкладки для ущільнення плівки та контролю напруги.


Завантажити-блокування інтеграції:Додавання автоматизованих завантажувальних-камер шлюзу для підтримки високої цілісності вакууму під час-високопродуктивних циклів завантаження.

 

Контроль якості та заводські випробування


Відстеження матеріалу:Сертифікати прокатних випробувань (MTC) надаються для всіх компонентів із нержавіючої сталі та структурних рам із-вакуумної сторони.


Збірка чистих приміщень:Остаточна інтеграція та перевірка-підрахунку часток, виконана в середовищі чистих приміщень ISO класу 6.


Заводські приймальні випробування (FAT):72--годинне безперервне випробування на випікання у вакуумі, випробування на герметичність за допомогою мас-спектрометрії на аналізаторі залишкового газу (RGA) і базове осадження плівки для перевірки однорідності товщини.

 

Встановлення та технічна підтримка


Інструкція з підготовки сайту:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 л/хв), стиснене повітря, лінії технологічного газу (Ar, O2, N2 з чистотою 99,999%) і вимоги до електричного навантаження (3-фазний 380 В/480 В).


Введення в експлуатацію:Встановлення-на місці, калібрування вакууму та спільні випробування-проводяться інженерами з обслуговування на місці.


Навчання оператора:Структуроване 5-денне навчання на місці, яке охоплює планове технічне обслуговування, протоколи безпеки вакууму, програмування рецептів і базове усунення несправностей.

 

Часті запитання

 

З: Який типовий час-вимкнення насоса від атмосферного до кінцевого базового тиску?

A: Використовуючи стандартну безмасляну-чорнову обробку та турбо{1}}конфігурацію молекулярного насоса, система досягає базового тиску < 5,0 x 10^-6 Па протягом 45 хвилин після сухого, чистого запуску.

З: Чи можна оновити систему в польових умовах з однокамерного до багато{0}}камерного кластера?

A: Так. Модульна конструкція рами включає стандартні фланцеві порти ConFlat (CF) і стандартизовані інтерфейси механічного вирівнювання, що дозволяє інтегрувати додаткові джерела осадження або модулі блокування навантаження-на вашому підприємстві.

Q: Які блокування безпеки вбудовані в систему керування?

A: Архітектура ПЛК включає блокування-апаратного рівня для збою потоку охолоджувальної води, падіння тиску стисненого повітря, стану резервного насоса, пере-температурних умов і захисту вакуумної камери від випадкового вентиляційного отвору.

 

Популярні Мітки: pvd multi-процесне тонкоплівкове обладнання, Китай pvd multi{1}}процесне тонкоплівкове обладнання виробники, постачальники, фабрика

Послати повідомлення
Зв'яжіться з намиякщо у вас є запитання

Ви можете зв'язатися з нами по телефону, електронною поштою або через онлайн-форму нижче. Наш спеціаліст зв'яжеться з вами найближчим часом.

Зв'яжіться зараз!