Огляд продукту
Тонкоплівкове обладнання серії IAE{0}}Ion-Assisted Evaporation Thin Film Evaporation Assisted Evaporation Thin Film Equipment об’єднує фізичне осадження з парової фази (PVD) із-бомбардуванням іонним променем у реальному часі. Спрямовуючи енергійні іони на підкладку під час термічного або електронного -променевого випаровування, система передає імпульс конденсуючим адатомам, реструктуруючи мікроструктуру зростаючої плівки.
Ця передача кінетичної енергії усуває стовпчасті порожнечі, пригнічує поглинання вологи та блокує показник заломлення від зміни вологості навколишнього середовища. Платформа, створена для безперервної багато-змінної роботи на лініях виробництва оптичних і напівпровідникових виробів, обробляє підкладки від високо-точної лазерної оптики до кремнієвих пластин.
-
![Обладнання для-вакуумного випаровування]()
Обладнання для-вакуумного випаровуванняСистема йонного-вакуумного випаровування об’єднує високо{1}}вакуумні термічні або-електронно-променеві джерела випаровування з джерелом іонів типу Кауфмана-або End-Холла. Бомбардуючи зростаючу...Переглянути більше -
![Система-іонного нанесення тонкої плівки]()
Система-іонного нанесення тонкої плівкиСистема іонного-осаджування тонкої плівки об’єднує багато-кишенькові електронні-промені/термічне випаровування з високо-ефективним джерелом іонів типу Енд-Холла або Кауфмана-. Під час фізичного...Переглянути більше -
![Обладнання для випаровування з іонним пучком]()
Обладнання для випаровування з іонним пучкомСистема IBAE поєднує електронний-промінь або термічне випаровування з вбудованим широким{1}}променевим джерелом іонів. Одночасне іонне бомбардування під час росту плівки передає кінетичну енергію...Переглянути більше -
![Обладнання для-іонного нанесення тонкої плівки]()
Обладнання для-іонного нанесення тонкої плівкиОбладнання з допоміжним іонним-осадженням тонкої плівки серії IA-поєднує теплове випаровування електронним-променем із джерелом іонів Кауфмана або Енд-Холла. Енергійне іонне бомбардування (суміш...Переглянути більше -
![Тонкоплівкова система-іонного випаровування]()
Тонкоплівкова система-іонного випаровуванняСистема тонкоплівкового -випаровування (IAE) поєднує фізичне осадження з парової фази (PVD) із бомбардуванням енергійним іонним променем. Під час теплового або електронно{2}}випаровування...Переглянути більше -
![Обладнання для тонкоплівкового -допоміжного випаровування]()
Обладнання для тонкоплівкового -допоміжного випаровуванняПромислова-система йонного-допоміжного випаровування (IAE), що об’єднує багато-кишенькові-електронне{3}}випаровування з джерелом енергійного іонного променя (конфігурація Енд-Холла або Кауфмана)....Переглянути більше
Технічні характеристики
|
Параметр |
Специфікація |
|
Граничний базовий тиск |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
|
Джерела випаровування |
Мульти-кишенькова електро-променева гармата (4 × 15cc до 40cc) і резистивні термічні джерела |
|
Тип джерела іонів |
Джерело іонів типу End-Hall/Kaufman-Gridless End (напруга пучка: 50–1500 В, іонний струм: 0,1–3 A) |
|
Контроль товщини плівки |
Кварцові мікроваги (QCM) + оптична система моніторингу (OMS), точність ± 0,1 нм |
|
Кріплення основи |
Пристосування планетарного обертання, радіус купола налаштований відповідно до геометрії підкладки |
|
Підігрів субстрату |
Масив радіаційного нагрівача, до 350 градусів з рівномірністю PID ± 2 градуси |
|
Архітектура керування |
ПЛК + промисловий ПК, автоматизоване виконання рецептів, реєстрація даних, сумісна з SECS/GEM |
Процес-іонного осадження
Утворення пари:
Матеріал випаровується з е-променевого тигля або термічного човна з контрольованою швидкістю осадження (0,1–2,0 нм/с).
01
Передача імпульсу:
Енергійні іони (Ar⁺, O⁺) бомбардують поверхню підкладки одночасно з потоком пари, що надходить від променя E- або теплового джерела.
02
Модифікація мікроструктури:
Іонний вплив підвищує рухливість поверхні адатомів, запобігаючи росту стовпчастих зерен і досягаючи майже-об’ємної щільності (щільність упаковки > 99%).
03
Корекція стехіометрії:
Реактивна допомога іонів (O₂) забезпечує повне окислення суб-оксидів у плівках оксидів металів (наприклад, Ta₂O5, Nb₂O₅, SiO₂), усуваючи смуги поглинання в спектрі УФ-NIR.
04
Кіноматеріали
Оксиди:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (стабільність високого показника заломлення для оптичних фільтрів).
Фториди:
MgF₂, LaF3 (шари з низьким показником заломлення для широкосмугових покриттів AR).
Метали:
Al, Ag, Au, Ti (адгезійні шари та металеві відбивачі).
Додатки
Лазерна та прецизійна оптика:
Смугові фільтри, дихроїчні дзеркала та лазерні захисні покриття, які вимагають високого-порогу пошкодження, викликаного лазером (LIDT) і нульового спектрального зсуву під час термічного навантаження.
Покривне скло LiDAR:
Міцні анти{0}}відблиски (AR) і анти-забруднення тонкі плівки, стійкі до суворих зовнішніх погодних умов.
Упаковка напівпровідників:
Вологозахисні{0}}шари капсуляції та металеві контактні майданчики, нанесені при низьких температурах підкладки.
Біомедичні датчики:
Біосумісні оптичні інтерференційні покриття для діагностичних мікрофлюїдних чіпів.
Налаштування
Камери та внутрішнє планування сконструйовано відповідно до конкретних виробничих площ і вимог процесу:
Розміри камери:
Можливість масштабування від R=600 мм R&D одиниць до R=1200 мм високої{2}}виробничої потужності.
Пакети накачування:
Конфігурується з турбомолекулярними насосами Maglev, кріонасосами та опорними лініями повітродувки Roots відповідно до вимог до газового навантаження.
Інтеграція джерела:
Подвійні-конфігурації джерел іонів або установки спільного-осадження для складних сплавів і багато{2}}шарових градієнтних плівок.
Рівень автоматизації:
Інтеграція з автоматизованими системами перенесення субстрату для чистих приміщень (EFEM / інструменти вакуумного кластера).
Контроль якості
Виявлення витоку:
Кожну вакуумну камеру перевіряють на витік-гелію за допомогою мас-спектрометра (швидкість витоку < 1,0 × 10⁻¹⁰ Па·м³/с).
Відстеження компонентів:
Вакуумні клапани, контролери масової витрати (MFC) і джерела живлення від кваліфікованих промислових брендів Tier-1 (MKS, Inficon, VAT).
Заводські приймальні випробування (FAT):
Проведіть-випробування, щоб перевірити базовий тиск, криву накачування, стабільність джерела та 24-годинну безперервну витривалість у порожній камері перед відправленням.
Метрологічне підтвердження:
Серії зразків перевірені за допомогою спектрофотометра (коефіцієнт пропускання/відбивання) та атомно-силової мікроскопії (шорсткість поверхні Ra < 0,5 нм).
Встановлення та технічна підтримка
Інструкція з підготовки сайту:
Вичерпні вимоги до інженерних комунікацій, надані перед доставкою (потік/тиск охолоджувальної води, стиснене повітря в чистих приміщеннях, розподіл електроенергії, витяжна вентиляція).
Введення в експлуатацію під ключ:
Інженери виїзного обслуговування займаються механічним складанням, вакуумним випіканням-, калібруванням іонного променя та підписом-рецепту початкового процесу-на місці-.
Навчання оператора:
Структуровані практичні-навчання, що охоплюють планове технічне обслуговування, безпеку пилососу, роботу з програмним забезпеченням і усунення несправностей.
Підтримка життєвого циклу:
Інтерфейс віддаленої діагностики для швидкого усунення несправностей програмного забезпечення; регіональний запас предметів критичного зносу (нитки, тиглі, екрани) відправляється протягом 48 годин.
FAQ
Ми добре-відомі як один із провідних виробників і постачальників тонкоплівкового обладнання-іонного випаровування в Китаї. Якщо ви збираєтеся придбати індивідуальне обладнання для тонкоплівкового-іонного випаровування, виготовлене в Китаї, ласкаво просимо отримати прейскурант від нашої фабрики. Для консультації щодо ціни зв'яжіться з нами.
