Обладнання для-вакуумного випаровування

Обладнання для-вакуумного випаровування

Подробиці
Система йонного-вакуумного випаровування об’єднує високо{1}}вакуумні термічні або-електронно-променеві джерела випаровування з джерелом іонів типу Кауфмана-або End-Холла. Бомбардуючи зростаючу плівку іонізованим газом (Ar або O2) під час фізичного осадження з парової фази (PVD), система передає кінетичну енергію адатомам, пригнічуючи стовпчасту мікроструктуру та запобігаючи поглинанню вологи оптичними та діелектричними тонкими плівками.
Класифікація продуктів
Обладнання для тонкоплівкового -допоміжного випаровування
 
Послати повідомлення
Опис
Технічні параметри

Система йонного-вакуумного випаровування об’єднує високо{1}}вакуумні термічні або-електронно-променеві джерела випаровування з джерелом іонів типу Кауфмана-або End-Холла. Бомбардуючи зростаючу плівку іонізованим газом (Ar або O2) під час фізичного осадження з парової фази (PVD), система передає кінетичну енергію адатомам, пригнічуючи стовпчасту мікроструктуру та запобігаючи поглинанню вологи оптичними та діелектричними тонкими плівками.


Створена для інтеграції чистих приміщень і безперервного-змінного виробництва, система масштабується від площі науково-дослідних робіт (камери 300 мм) до промислових ліній із високою-пропускною здатністю (конфігурації подвійних-дверей 900 мм і планетарного обертання).

 

Технічні характеристики

 

Параметр Категорія

Технічна специфікація

Розміри камери

600 мм x 600 мм x 600 мм (налаштовується до 1200 мм)

Матеріал камери

Нержавіюча сталь 304L, внутрішні поверхні електрополіровані до Ra < 0,2 мкм

Базовий тиск

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Граничний тиск

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Джерела випаровування

Мульти-кишенькова електро-променева гармата (6 x 15cc / 4 x 40cc) і резистивні термічні джерела

Джерело іонів

End-Hall / Джерело іонів без мережі (Напруга променя: 50-300 В, Іонний струм: 0-500 мА)

Кріплення для підкладки

Планетарний механізм обертання (0-20 об/хв) з додатковим нагріванням (RT до 350 °C)

Контроль товщини плівки

Кварцові мікроваги (QCM) із подвійною сенсорною головкою та ПІД-контролером із замкнутим-контуром

 

Ключові характеристики


Майже{0}}об’ємна щільність:Підвищена рухливість поверхні адатомів усуває видиму пористість плівки та максимізує механічну твердість.


Налаштування внутрішньої напруги:Регульована енергія іонного променя нейтралізує механічні навантаження, запобігаючи розшарування на товстих діелектричних пакетах.


Низький-термічний-бюджет обробки:Імпульсне-ущільнення забезпечує високо{1}}ефективне покриття на-температурних полімерних підкладках без теплових спотворень.


Автоматизація рецепта:Контрольовані-ПЛК вакуумні блокування та послідовність-накачування, керовані через промислову сенсорну-панель HMI із реєстрацією даних.

 

Конфігурація вакуумної системи


Чорнова стадія:Дво-ступеневий роторно-лопатевий механічний насос у поєднанні з повітродувкою Рутс (швидкість 150 л/с) для швидкого переходу.


Етап високого вакууму:Турбомолекулярний насос з магнітною левітацією (1600 л/с) із безмасляним-сухим спіральним насосом для усунення зворотного потоку вуглеводнів.


Кріогенний варіант:Холодна пастка рідкого азоту та інтеграція кріонасоса для низького парціального тиску-водяної пари.


Вимірювання вакууму:Перехресно-калібровані манометри Пірані та холодного катоду для зворотного-часу від атмосфери до 10^-7 Па.

 

Матеріали для випаровування та сумісність з підкладкою


Випаровування матеріалів
Оксиди:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Фториди:MgF2, LaF3


Метали:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Сумісність субстрату
Оптичні підкладки:
Вікна з плавленого кремнезему, N-BK7, кремнію, германію та селеніду цинку.


Напівпровідникові пластини:Кремнієві та складні напівпровідникові пластини від 100 до 300 мм.


полімери:Плівки PET, PI (поліімід) і PMMA з використанням низько{0}}температурних параметрів IAD.

 

Додатки


Прецизійна оптика:Анти{0}}покриття (AR), лазерні дзеркала та вузькі смугові фільтри, які потребують стійкості до вологи.


мікроелектроніка:Металеві затворні електроди, адгезійні шари та пасиваційні бар’єри в упаковці напівпровідників.


Оптоелектроніка:Прозорі контакти з провідного оксиду (TCO) і шари інкапсуляції OLED{0}}від вологи.

 

Параметри налаштування


Геометрія камери:Прямокутні або циліндричні конструкції, адаптовані до обмежень стін чистих приміщень.


Багато{0}}інтеграція джерел:У-установки для спільного випаровування, що містять до трьох електро{1}}променевих гармат і чотирьох термальних човнів.


Метрологічні порти-на місці:Фланцеві інтеграційні порти для спектроскопічних еліпсометрів або систем оптичного моніторингу.


Рівень автоматизації:Напівав-автоматичні дослідницькі збірки або повністю автоматизована обробка пластин-від-касети до касети.

 

Контроль якості та протоколи тестування


Виявлення витоку:Випробування гелієвим мас-спектрометром у кожній камері зі строгим порогом відхилення < 1 x 10^-9 Па*м^3/с.


Перевірка чистоти:Сканування аналізатором залишкового газу (RGA) виконано перед -транспортуванням, щоб підтвердити відсутність органічних вуглеводнів.


Запис-системи:72-години безперервного сухого випробування механічних приводів, колекторів охолодження та електричних блокувань.


Документація:Сертифікати випробувань матеріалів (MTR), електричні схеми та звіти про заводські приймальні випробування (FAT).

 

Встановлення та технічна підтримка


Підготовка місця:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 м^3/год), чисте сухе повітря (CDA) і вихлоп.


Введення в експлуатацію:Розгортання польового обслуговування для механічного вирівнювання, підключення до електромережі, калібрування вакууму та підписання -рецептів.


Навчання оператора:5-денна програма на місці, яка охоплює роботу, профілактичне обслуговування, усунення несправностей і блокування безпеки.


Запчастини:Критичні предмети зносу (нитки, кристали QCM, ущільнювачі, турбомолекулярні підшипники), що зберігаються в регіоні.

 

Часті запитання

 

З: Як IAD запобігає дрейфу показника заломлення?

Відповідь: Іонне бомбардування видаляє захоплені залишкові гази та ущільнює зростання плівки майже до-об’ємної щільності. Це зупиняє конденсацію вологи в навколишньому середовищі під час виходу повітря, забезпечуючи нульовий центр-зміщення довжини хвилі з часом.

Q: Який інтервал технічного обслуговування для сіток і ниток джерела іонів?

A: End-Джерела іонів Холла працюють протягом 150-200 технологічних годин залежно від реактивних газів. Швидкознімні затискачі дозволяють замінити компонент менш ніж за 30 хвилин.

Q: Чи може система обробляти реактивні процеси, такі як TiO2?

A: Так. Спеціальні високо{1}}контролери масової витрати (MFC) впорскують кисень або азот безпосередньо в камеру та джерело іонів, забезпечуючи повну стехіометрію та усуваючи суб{2}}поглинання оксиду.

 

Популярні Мітки: іонне-обладнання для вакуумного випаровування, Китай, виробники, постачальники, фабрика обладнання для йонного-вакуумного випаровування

Послати повідомлення
Зв'яжіться з намиякщо у вас є запитання

Ви можете зв'язатися з нами по телефону, електронною поштою або через онлайн-форму нижче. Наш спеціаліст зв'яжеться з вами найближчим часом.

Зв'яжіться зараз!