Система IBAE поєднує електронний-промінь або термічне випаровування з вбудованим широким{1}}променевим джерелом іонів. Одночасне іонне бомбардування під час росту плівки передає кінетичну енергію конденсуючим адатомам, усуваючи стовпчасті мікроструктури та створюючи тонкі плівки майже{3}}об’ємної-щільності з мінімальним спектральним зсувом,-спричиненим вологою.

Технічні характеристики

Параметр	Специфікація
Базовий тиск	<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes)
Робочий тиск	1,0 x 10^(-1) до 1,0 x 10^(-2) Па
Тип джерела іонів	Gridless End-Hall / Kaufmann Ion Source
Енергія пучка іонів	50 еВ до 1500 еВ (замкнутий-контур стабілізації)
Щільність струму пучка іонів	від 0 до 2,5 мА/см^2
Джерела випаровування	Багато-кишенькова -променева гармата (4 x 15 cc до 6 x 40 cc) / Човни опору
Тримач підкладки	Пристрій планетарного обертання з нагрівом до 300 град
Рівномірність товщини	<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter
Система контролю	ПЛК Siemens S7-1500 + промисловий ПК (контролер осадження Inficon)

Ключові характеристики

Дворежимне-бомбардування:Передача кінетичної енергії ущільнює плівки при низьких температурах підкладки, захищаючи делікатну оптику та полімерні підкладки.

Іонна стабілізація із замкнутим-контуром:Інтегровані контролери масового потоку підтримують постійний потік іонів протягом тривалого циклу виробництва, забезпечуючи стабільність партії.

Модульна вакуумна камера:Конструкція з нержавіючої сталі 304L з електро-полірованою внутрішньою частиною (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.

Автоматизоване секвенування:Цикли-керованого відкачування, осадження та вентиляції з ПЛК-зводять до мінімуму відхилення в роботі.

Конфігурація вакуумної системи

Чорнові насоси:Безмасляні-сухі корені та роторно-лопатеві насоси.

Насос високого вакууму:Турбомолекулярний насос з магнітною левітацією (1600 л/с).

Датчики:Комбіновані ємнісні манометри Пірані, холодного катоду та Баратрона.

клапани:Пневматичні шиберні та кутові засувки з апаратним блокуванням безпеки.

Матеріали для випаровування та сумісність з підкладкою

Оксиди:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3

Фториди:MgF2, LaF3

Метали:Au, Ag, Al, Ti, Cr

Субстрати:Плавлений кремнезем, BK7, кремнієві пластини, германій, селенід цинку (ZnSe) і термо{1}}стійкий поліімід.

Додатки

Прецизійна оптика:Вузькосмугові фільтри та покриття DWDM, які потребують стабільних центральних довжин хвиль.

Лазерна оптика:Відбивачі-з-порогом спрацьовування та -покриття, що не відбивають відбиття, мають високий{0}}поріг.

Напівпровідники та фотоніка:Діелектричні захисні шари, пасивація та оптичні хвилеводи.

Сонячна енергія:Модифікація інтерфейсу прозорого провідного оксиду (TCO).

Налаштування

Розмір камери:Масштабовані діаметри від 600 мм до 1200 мм.

Вихідний макет:До трьох електронних{0}}променевих гармат і кількох теплових джерел на платформу.

Метрологія-на місці:Інтеграція широкосмугового оптичного моніторингу (BOM) або кварцового кристалічного мікроваги (QCM).

Автоматизація:Роботизовані інтерфейси завантаження субстрату, сумісні зі стандартами SEMI.

Контроль якості

Виявлення витоку:Тестування гелієвим мас-спектрометром на камеру (чутливість<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).

Джерело компонентів:Промислові марки Tier-1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).

Заводське приймання (FAT):72-годинний безперервний сухий прогін і перевірка покриття, вимірювання показника заломлення та однорідності перед відправкою.

Встановлення та технічна підтримка

Документація:Повний пакет англійською мовою, включаючи електричні схеми, схеми P&ID та вихідні коди ПЛК.

Польові служби:Встановлення під ключ, калібрування вакууму та налаштування рецептури інженерами.

Дистанційна діагностика:Захищений модуль VPN для програмного забезпечення та усунення несправностей процесів.

FAQ

З: Як допомога іонів змінює показник заломлення оксиду?

A: Енергійне іонне бомбардування викидає захоплені залишкові гази та ущільнює мікроструктуру, зміщуючи показник заломлення таких плівок, як Ta2O5 і TiO2, ближче до об’ємних значень.

З: Який типовий інтервал технічного обслуговування джерела іонів?

A: Інтервали технічного обслуговування коливаються від 150 до 300 годин обробки, залежно від технологічних газів і робочої щільності потужності.

З: Чи може ця система керувати процесами реактивного газу?

A: Так. Незалежні контролери масової витрати впорскують реакційноактивні гази (O2, N2) безпосередньо в джерело іонів і зони камери, зблоковані захисними реле тиску.

Популярні Мітки: обладнання для випаровування за допомогою іонного променя, виробники, постачальники, фабрика обладнання для випаровування за допомогою іонного променя